• Главная
  • "Флэшка" на тысячи гигабайт
  • Первый серийный 45-нм процессор
  • Нанотехнологии несут революцию
  • Микроскоп обратится к нанотехнологиям
  • Представлен новый вид устройств
  • Обратная связь
  • Архив статей
  • Контакты

    Реклама на сайте:

  • Наша компания занимается созданием информационных накопителей и запоминающих устройств. Производимые устройства получают самые высокие оценки на международных форумах и выставках.
    Нанотехнологии увеличат ёмкость флэш-памяти
    Сегодня флэш-память применяется практически в каждом электронном гаджетов - от мобильного телефона и MP3-плейера до цифровой фотокамеры и компьютера-наладонника. Появились даже твёрдотельные флэш-карты, которые в перспективе могут совсем заменить жёсткие диски с подвижными пластинами и сложной механикой.
    Вместе с тем, с увеличением ёмкости заметно растут и габариты микросхем флэш-памяти, это делает их более громоздкими и заметно дороже в производстве. Оригинальное и очень радикальное решение этой трудности предложила небольшая фирма Nanosys из калифорнийского местечка Пало Альто. Как утверждают разработчики этой компании, они сконструировали материал, способный удвоить вместимость обычных чипов флэш-памяти через добавление на стадии производства элементов самоформирующихся металлических нанокристаллов.
    Компания знаменита своими исследованиями в сфере нанотехнологий и обладает рядом патентов на перспективные технологии производства полупроводниковых чипов. Среди партнёров фирмы - такие известные корпорации, как Intel, а также Micron Technologies. В Nanosys сообщают, что их новая разработка, могущая использовать металлические нанокристаллы в производстве микросхем памяти, не допуская практически никаких изменений в рабочий процесс, может быть применена в конечных продуктах уже в первом квартале 2009 года - конечно же, с помощью именитых партнёров.
    Новая разработка может оказаться спасительной для быстро растущей индустрии флэш-памяти. За несколько последних лет ёмкость твердотельной памяти постоянно увеличивалась, что вполне отвечало известному Закону Мура, по которому число транзисторов в микросхеме удваивается за каждые два года. При этом ввиду используемых материалов, а также их физических показателей до сих пор размеры изолированных ячеек памяти в чипах флэш-памяти росли лишь по горизонтали, а не по вертикали. Ученые из Nanosys нашли способ отказаться от этих ограничений.
    "На выходе мы получили кристалл, который смотрится как пучок небоскрёбов", - рассказывает управляющий по развитию рынка товаров на базе энергонезависимой памяти Nanosys Дональд Барнетсон. Такие "небоскрёбы" электрически взаимодействуют между собой в произвольном порядке, что снижает стабильность микросхемы. Ячейки флэш-памяти сохраняют электроны, которые работают в роли хранителей битов данных, на мельчайшем участке кремния - в так называемом подвижном затворе.


    © 2017 НаноНакопитель.Ру - нанотехнологии в создании устройств хранения иформации